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纳米压印技术及相关产品
申请号:
申请公布号:
申请日:
申请公布日:
2017-01-17
申请(专利权)人:
BI950047468
专利代理机构:
分类号:
专利介绍
纳米压印是上世纪发明的新一代集成电路制造技术,可以在半导体硅片上获得尺寸小于10nm的结构单元。纳米压印技术的印制过程如图所示,它的工作原理是,将具有凸凹纳米结构的模板通过一定的压力,压入加热熔融的高分子薄膜内、待高分子材料冷却固化、纳米结构定型后,移去模板,然后再通过等离子刻蚀等传统的微电子加工手段把纳米结构进一步转移至半导体硅片上。
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